ARQUITECTURA DE COMPUTADORES
PROFESOR : BRAVO ANGEL

TEMA:
TIPOS DE MEMORIAS

TRABAJO PRACTICO

GRUPO:
memus

INTEGRANTES:
ALUMNOS DE PRIMER AÑO DE TECNICATURA SUPERIOR EN ANALISIS DE SISTEMAS:

CABRERA ISABEL
TINDEL CARLOS
SEJAS JONATAN
DIAZ ARIEL







OBJETIVO:


DAR A CONOCER UNA BREVE EVOLUCION HISTORICA EN FORMA GENERAL DE LAS MEMORIAS


DAR A CONOCER DISTINTOS TIPOS DE MEMORIA.


DETERMINAR LAS DIFERENCIAS QUE TIENEN ENTRE ESTOS TIPOS DE MEMORIA.


CONCLUSION FINAL


BIBLIOGRAFIA


GLOSARIO



INDICE





1. HISTORIA:

Hagamos un poco de historia…
Desde hace mucho tiempo, el hombre ha tratado de facilitar las tareas de cálculos matematicos, aveces complejas y repetitivas.A lo largo de la historia, se perfeccionaron mecanismos que resultaron fundamentales para el desarrollo de los que hoy día utilizamos.

El instrumento de cálculo más antiguo es quizás un conjunto de piedras que , por medio de ranuras hechas en el suelo, eran utilizadas hace miles de años para contar. El abaco mas antiguo data de hace 3500 a.C , descubierto en Egipto, fue el primer instrumento de cálculo manual, y servia para contar y realizar operaciones sencillas.



A comienzo del siglo XVII, a fin de simplificar las operaciones de potenciación, multiplicación y división, fueron inventados, en 1614, los logaritmos naturales o neperianos por el matematico escocés JOHN NAPIER(1550-1617?), quien ideo además una serie de varillas cifradas que permitían multiplicar y dividir en forma automática y una calculadora de tarjetas que servia para multiplicar(estructura de NAPIER).

Años después, el matematico francés BLAIS PASCAL(1623-1662) ideo una maquina de calcular automática ,basadas en ruedas dentadas, que permitían sumar y restar mostrando el resultado por unas ventanillas,esta maquina recibió el nombre de pascalina.

WILLIAM OUGHTRED(1574-1660) en 1632 y PATRIDGE en 1650,basándose en los descubrimientos de NAPIER, invento La regla de calculo,que permitia realizar diversas operaciones sobre una rejilla que tenia varias escalas marcadas.



Poco años después GOTTFRIED WILHELM VON LEIBNIZ
(1646-1716) mejoro la maquina de PASCAL construyendo su calculadora universal.





El matematico CHARLES BABBGE(1792-1871) ideo en 1822 una maquina diferencial para el calculo logarítmico que resolvia funciones y en 1833 diseño una maquina analítica capaz de realizar todas las operaciones matematicas y de ser programada por medio de tarjetas de carton perforado,esta maquina, además , podía guardar en su interior una gran cantidad de cifras; es por está estructura que BABBAGE es considerado el creador de la INFORMATICA.



GEORGE BOOLE(1815-1864) desarrollo en su libro de Analisis Matematico de la lógica una teoría que posibilito después el diseño de circuitos lógicos y el desarrollo del Algebra binaria, conocida como algebra booleana.



El origen de la electrónica puede ubicarse en el 1883, cuando Tomas Alba descubrió la emisión termoiónica en los filamentos de las lámparas incandecentes había un punto sobre la superficie del vidrio que se calentaba mas que otras zonas.



En 1904, El físico e ingeniero eléctrico inglés John Ambrose Fleming aplico el efecto termoiónico a sus experimentos ,dando origen al tubo de vacio,llamado diodo.



En 1906 Lee de Forest añadió un tercer electrodo(rejilla) con el que podía controlar el flujo de corriente entre el anodo el catodo;este dispositivo recibió el nombre de tríodo.Por está razon a Edison,Forest y Fleming se les considera precursores de la electrónica






















EL transistor es un dispositivo de tres terminals que surge en los laboratorios Bell de la AT&T.Se buscaba en conmutador de estado solido para ser utilizado en telefonía y para reemplazar tanto a los relés como a los sistemas de barras.Luego se contempla la posibilidad de obtener el reeplazo de la valvula de vacio.





ENIAC, considerado el primer ordenador de la Historia, poseía unos increíbles 4 kilobytes de memoria, fabricados a base de núcleos de ferrita a gran temperatura. Estos 4 kilobytes (si cada carácter en un documento ocupara un byte, el ordenador podría almacenar poco más que un folio escrito de información) ocupaban varios metros cuadrados, como cuatro armarios juntos.



En los sesenta, cuando se comienza a utilizar los chips gracias a los circuitos integrados, se da un gran paso adelante, y los procesadores comienzan a doblar su capacidad cada año y medio. No así la RAM que debe esperar unos diez años para duplicar su velocidad. En los ochenta, el micro sigue evolucionando a velocidades sorprendentes (se llega al Megaherzio) y la velocidad de acceso a RAM sigue estancada hasta quedarse por detrás del micro. Surge el concepto de multiplicador para poder seguir al micro, y a la vez todo el sistema debe acoplarse a la velocidad del bus, que, para entendernos, es la carretera que une el procesador con la RAM. El bus siempre ha viajado a una velocidad menor que el procesador y la RAM, y esto ha generado infinidad de trucos y mejoras para poder crear un sistema sin cuellos de botella... Unos ejemplos:




Existen dos tipos básicos de memoria RAM, la estática (SRAM) y la dinámica (DRAM). La primera no necesita ser tan frecuentemente "refrescada" con la información, lo que la hace más rápida. Se usa para las cachés internas de los microprocesadores (que no necesitan pasar por el bus), mientras que la dinámica se utiliza para lo que comúnmente conocemos como RAM del ordenador. SDRAM, viene de DRAM síncrona, y es un tipo genérico de memoria optimizada para trabajar a la velocidad del bus. En un principio se usaron memorias DIP (Dual In line Pin) hasta los procesadores 80386, que soportaban poco más de 1 Megabyte de memoria.
Eran una especie de cucaracha rectangular con 16 patas. Con el tiempo este formato pasó a usarse para la memoria de la tarjeta gráfica, pero con el aumento de ésta, el tipo de conexión terminó despareciendo.

A mediados de los 90, aparecieron los formatos DIMM, SIMM (dual/single in line memory module) que eran módulos dispuestos en una lámina que se unía a la placa a través de una serie de contactos. Visualmente, estos dos tipos de módulos eran muy parecidos, pero para conectarse a la placa, necesitaban de técnicas distintas. Estos módulos podían ser a su vez de 30 contactos (SIMM30), muy al principio. Con la aparición del 486 y hasta las primeras versiones de Pentium II, se aumentó a 72 contactos. La evolución llegó con los módulos DIMM de 168 contactos, más rápidos que los anteriores, que se mantuvo hasta que el bus de datos consiguió disparar su velocidad.
La mayoría de los equipos personales que se instalan actualmente, vienen equipados con memoria del tipo DDR SDRAM (double data rate SDRAM) que consigue doblar la velocidad actuando casi dos veces por ciclo de la placa, ajustándose más a la disparatada velocidad de los microprocesadores de hoy en día, y doblando velocidad de acceso de un plumazo cuando comenzaron a comercializarse.
La memoria ROM (read only memory:memoria de solo lectura); Esta memoria contiene información que viene pregrabada por su fabricante y, por ser de solo lectura, no puede ser modificada por el usuario.La información almacenada en ella no se pierde al apagarse la maquina, caso contrario a la memoria RAM.Un ejemplo de memoria ROM son los cartuchos de videos juegos.
2.-CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES DE LAS MEMORIAS

Las características más importantes de las memorias son:
Tiempo de escritura
Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la información a almacenar en la memoria y el momento en que la información queda realmente registrada.
Tiempo de lectura
Es el que transcurre entre la aplicación de la orden de lectura, y el momento en que la información está disponible en la salida.
Tiempo de acceso
Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos anteriormente.
Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que esta lo entrega.
Tiempo de ciclo
Después de una operación de lectura o escritura, es posible que la memoria necesite un tiempo de reinscripción (memorias de núcleos de ferrita, por ejemplo), o de recuperación. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este tiempo y del tiempo de acceso.
También denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la memoria hasta que ésta se halla en disposición de efectuar una nueva operación de lectura o escritura.
Acceso aleatorio
Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier posición de memoria es siempre el mismo.
Cadencia de transferencia
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (Bits por segundo)
Capacidad
Es el número de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina también volumen.
Densidad de información
Es el número de informaciones por unidad de volumen físico.
Volatilidad
Es el defecto de una memoria que pierde la información almacenada, si se produce un corte de alimentación
2.1.MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL
Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parámetros:
Por el modo de acceso:
Acceso Aleatorio (RAM)
Acceso Secuencial
Asociativas
Por el modo de almacenamiento:
Volátiles
No volátiles
Por el tipo de soporte:
Semiconductoras
Magnéticas
De papel
Por su función o jerarquía
Tampón o borrador: (LIFO,FIFO)
Central o Principal
De masas




3-LA MEMORIA RAM






MEMORIA RAM

3.1 Concepto

RAM : Siglas de Random Access Memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder de forma aleatoria; esto es, se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin pasar por los bytes precedentes. RAM es el tipo más común de memoria en las computadoras y en otros dispositivos, tales como las impresoras.
Hay dos tipos básicos de RAM:

DRAM (Dynamic RAM), RAM dinámica
SRAM (Static RAM), RAM estática

Los dos tipos difieren en la tecnología que usan para almacenar los datos. La RAM dinámica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM estática no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace más rápida, pero también más cara que la RAM dinámica. Ambos tipos son volátiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentación.

En el lenguaje común, el término RAM es sinónimo de memoria principal, la memoria disponible para programas. En contraste, ROM(Read Only Memory) se refiere a la memoria especial generalmente usada para almacenar programas que realizan tareas de arranque de la máquina y de diagnósticos.La mayoría de los computadores personales tienen una pequeña cantidad de ROM(algunos Kbytes). De hecho, ambos tipos de memoria ( ROM y RAM )permiten acceso aleatorio. Sin embargo, para ser precisos, hay que referirse a la memoria RAM como memoria de lectura y escritura, y a la memoria ROM como memoria de solo lectura.
Se habla de RAM como memoria volátil, mientras que ROM es memoria no-volátil.
La mayoría de los computadores personales contienen una pequeña cantidad de ROM que almacena programas críticos tales como aquellos que permiten arrancar la máquina (BIOS CMOS). Además, las ROMs son usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos periféricostales como impresoras laser, cuyas 'fonts' estan almacenadas en ROMs.





3.2.Tipos de memoria RAM

3.2.1- VRAM : Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es máscara que la una RAM normal.

3.2.2- SIMM : Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.
El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de largo y usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64megabytes de RAM es actualmente el más frecuente.

Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit deparidad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sinparidad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno es parael chequeo de paridad.

3.2.3-DIMM : Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado,consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips dememoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

3.2.4-DIP : Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

3.2.5-RAM Disk : Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los discos duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.


Dado que están constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde un disco duro real al inicio de la sesión y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la máquina. Observe que en el caso de fallo de alimentación eléctrica, se perderán los datos que hubiera en el RAM disk. El sistema operativo DOS permite convertir la memoria extendida en un RAM Disk por medio del comando VDISK, siglas de Virtual DISK, otro nombre de los RAM Disks.






3.2.6-Memoria Caché ó RAM Caché : Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos decaché frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada tambien a veces almacenamiento cachéó RAM caché, es una parte de memoria RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a losmismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.

Cuando un dato es encontrado en el caché, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un caché juzgado por su tasa de impactos(hit rate). Los sistemas de memoria caché usan una tecnología conocida por caché inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qué información debe de ser puesta en el caché constituyen uno de los problemas más interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias caché están construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una caché L2 de 512 Kbytes.



El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la
memoria caché, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la caché del disco para ver si los datos ya estan ahí. La caché de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones,dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder a un byte del disco duro.




3.2.7-SRAM: Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es más rápida y fiable que la más común DRAM (Dynamic RAM). El términoestática viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces quela RAM dinámica.

Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos.

Un bit de RAM estática se construye con un DIP como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es activado. Las RAM estáticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinámicas, pero precisan más espacio y usan mas energía. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria caché.

3.2.8-DRAM: Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinámica y estática) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentación. Contrasta con la RAM estática.

Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinámica se indica erróneamente como un tipo de encapsulado; por ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando deberia decirse "DIPs, SIMMs y SIPs"los tres tipos de encapsulado típicos para almacenar chips de RAM dinámica.

Tambien algunas veces el término RAM (Random Access Memory)es utilizado para referirse a la DRAM y distinguirla de la RAM estática (SRAM)que es más rápida y más estable que la RAM dinámica, pero que requiere más energía y es más cara

3.2.9-SDRAM: Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es casi un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para 1998. También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bús.

3.2.10-FPM : Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina,la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM.El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más.

3.2.11-EDO : Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Alser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo FastPage.
Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modoFast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.

3.2.12-BEDO (Burst EDO): es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.

3.2.13-PB SRAM: Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutándo, la computadora está decodificando la siguiente instrucción.En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de coma flotante

La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.




3.3-Algunos parámetros a tener en cuenta:

3.3.1-El tamaño:
El tamaño de la memoria se expresa habitualmente en Mbytes o Gbytes.Los tamaños mas habituales en la actualidad son: 128Mb;256Mb,512Mb,1Gb y 2 Gb.

3.3.2-Frecuencia de funcionamiento:
Se diferencia entre la frecuencia interna y la externa.La frecuencia interna es la que suele figurar en la información general del producto.Resulta de multiplicar la frecuencia externa por el valor de reloj multiplicador.
Los valores mas habituales que nos podemos encontrar como frecuencia interna son: 133Mhz,333Mhz,400Mhz,533Mhz,667Mhz y 800 Mhz.

3.3.3-Memoria ECC-no ECC:
ECC significa “Error checking and correcting”,codigo de correccion de errores .La mayoría de los modulos de memoria que se utilizan son “no ECC”.
Para servidores y equipos con especiales requisitos de fiabilidad se utilizan memorias EEC,mas fiables, pero también mas caras.

3.3.4-Memoria de doble canal(Dual cannel):
En la actualidad prácticamente todas las placas base incluyen la gestión de memoria de doble canal.Esta gestión la realiza el chipset puente norte.Hay que destacar que es una característica de la placa base, no de la memoria.
Permite gestionar la memoria RAM principal haciendo operaciones de lectura/escritura en dos (o cuatro) modulos a la vez,que funcionarian en paralelo.Los dos (o cuatro) modulos de memoria instalados en Dual cannel deben ser iguales en capacidad ,frecuencia y tiempo de lactancia(tiempo de acceso a los datos).

3.3.5-Tasa de transferencia:
Tambien denominado ancho de banda. Representa el numero de datos máximo que se puede transferir por unidad de tiempo.
Cuando surgió la memoria DDR se empezó a generalizar la utilización del valor de transferencia de datos de memoria,es decir,el numero de datos que se transfieren por unidad de tiempo, además de la frecuencia de funcionamiento.
Como los nuevos micros Pentium IV tenia 64bit de datos,un total de 8 bytes, la tasa de transferencia de datos,también denominada “ancho de banda de la memoria” se definió como:
Tasa de transferencia(MBytes/seg)=Frecuencia(Mhz) x 8 bytes


3.3.6-Lactencia CAS:
La memoria RAM se estructura en una tabla de filas y columnas.El termino CAS significa “column address strobe”.Se trata de una señal que indica la dirección de la columna en una ubicación especifica de memoria. Lactencia CAS (CL), indica el tiempo que tarda un dato en estar disponible desde que se realiza la peticionde leer ese dato.Se expresa en numero de ciclos de reloj.Cuanto menor es el valor de “lactencia CAS” (CL) mas rápido es el acceso a los datos y por tanto mejor es el rendimiento de la memoria.
Los valores de “lactencia CAS”(CL) habitualmente suele ser=CL2´5,CL3,CL4,CL5.

3.3.7-SDRAM:memoria RAM dinámica,la frecuencia de funcionamiento va desde 66Mhz a 133Mhz.Esta diseñada para ser capaz de realizar un acceso de lectura y escritura en un único ciclo de reloj ,un avance importante en su momento.

3.3.8-DDR(doublé data rate):tambien se trata de un tipo de memoria RAM dinámica.Puede realizar dos accesos de lectura o escritura en un único ciclo de reloj.Fabricada en muchas frecuencias de funcionamiento, las mas utilizadas han sido de 266,333 y 400 Mhz.

3.3.9-DDR2(doublé data rate-2) :La memoria DDR2 tiene la posibilidad de realizar hasta 4 accesos de lectura o escritura en un único ciclo de reloj.Constituyen una mejora del rendimiento sobre los modelos DDR.Es el tipo de modulo mas utilizado en la actualidad.Las frecuencias normalmente de funcionamiento son 533,667 y 800 Mhz.

3.3.10-DDR3(doublé data rate-3):Se trata de un tipo de memoria RAM recién desarrollado.Se han puesto en el mercado los primeros modelos ,con frecuencia de 1066Mhz y 1333Mhz.Algunos fabricantes de placa base están empezando a ofrecer modelos que soportan esta nueva generación de memoria RAM.

3.3.11-GDDR(grafics double data rate):Variante de la memoria RAM DDR,especifica para ser utilizada como la memoria de video en tarjetas graficas .Se encuentran soldadas en una tarjetas graficas, y no se puede ampliar o sustituir como los modulos de RAM general para placa base.
Hay disponibilidad de tipo GDDR2,GDDR3 y en desarrollo GDRR4, con diferentes frecuencias de capacidades.





4. MemoriaFlash


La memoria flash es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo.

Fue Fujio Masuoka (empleado de Toshiba), en 1984, quien inventó este tipo de memoria como evolución de las EEPROM existentes por aquel entonces. Intel intentó atribuirse la creación de esta sin éxito, aunque si comercializó la primera memoria flash de uso común.

Las celdas de memoria Flash pueden gastarse al cabo de un determinado número de ciclos de escritura, que se cifran generalmente entre 100.000 y un millón, dependiendo del diseño de la celda y de la precisión del proceso de fabricación. El principal mecanismo de destrucción lo constituye el daño acumulativo que se produce sobre la puerta de flotación de la celda, debido a los elevados voltajes empleados, de forma repetitiva, para borrar la celda, o la capa de oxido se rompe o los electrones se acumulan en la puerta de flotación







4.1-Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos da la opción de utilizarla también como memoria RAM, a continuación las características:
Fecha de introducción
Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC.

4.2-Descripción de la tecnología
Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.

4.3-Velocidad de transferencia
La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es mayor en lectura que en escritura. Las más comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva generación de tarjetas permitirá velocidades de hasta 30 MB/s.


4.4.1 MEMORIA FLASH NOR
NOR, así llamada en consideración a la tecnología de asignación de datos específicos (No OR),es una tecnología Flash de alta velocidad. La memoria Flash NOR proporciona capacidades de acceso aleatorio de alta velocidad, pudiendo leer y escribir datos en ubicaciones específicasde la memoria sin tener que acceder a la memoria en modo secuencial. A diferencia de la memoria Flash NAND, Flash NOR permite la recuperación de datos de tamaño tan pequeño como el de un solo byte. Flash NOR es excelente en aplicaciones donde los datos se recuperan o se escriben de manera aleatoria. NOR se encuentra más frecuentemente integrada en teléfonos celulares (para almacenar el sistema operativo del teléfono) y PDA; también se usa, en computadoras para almacenar el programa de BIOS que se ejecuta para proporcionar la funcionalidad de arranque.

4.4.2 MEMORIA FLASH NAND
La memoria Flash NAND se inventó después de la memoria Flash NOR y tomó su nombre de la tecnología de asignación específica utilizada para datos (No AND). La memoria Flash NAND lee y escribe a alta velocidad, en modo secuencial, manejando datos en tamaños de bloque pequeños (“páginas”). La memoria Flash NAND puede recuperar o escribir datos
como páginas sencillas, pero no puede recuperar bytes individuales como la memoria Flash NOR.
La memoria Flash NAND se encuentra comúnmente en unidades de disco duro de estado sólido, dispositivos de medios digitales de audio y video, cajas set-top, cámaras digitales,
teléfonos celulares (para almacenamiento de datos) y otros dispositivos donde los datos se escriben o leen, generalmente, de manera secuencial. Por ejemplo, la mayoría de las cámaras digitales usan película digital basada en memoria Flash
NAND, ya que las imágenes generalmente se toman y se almacenan de manera secuencial.
La memoria Flash NAND también es más eficiente cuando se leen las fotos, ya que transfiere páginas completas de datos muy rápidamente. Como medio secuencial de almacenamiento,
la memoria Flash NAND es ideal para el almacenamiento de datos.
La memoria Flash NAND es más económica que la memoria Flash NOR y puede acomodar mayor capacidad de almacenamiento en el mismo tamaño de molde. La memoria Flash que almacena un solo bit por celda (por ejemplo, el valor de “0” ó “1” por
celda), se llama Flash de celda de un solo nivel (SLC)


4.5 Desempeño de dispositivos de almacenamiento Flash
El desempeño de dispositivos de almacenamiento de tarjetas Flash depende de los siguientes tres factores:
• Los chips de memoria Flash específicos utilizados: Generalmente, existe un equilibrio entre los chips Flash de alta velocidad y los de Celda de un solo nivel (SLC) más caros, y los chips Flash de velocidad estándar y de celda de nivel múltiple (MLC) o de celda de bits múltiples (MBC) más accesibles. Las tarjetas Flash de alto desempeño de Kingston (Elite Pro/Ultimate) y las unidades Flash USB Data Traveler II, II Plus – Edición Migo y Elite, utilizan todas, la memoria Flash SLC de alto desempeño.
• El controlador del dispositivo de almacenamiento Flash: Los dispositivos de almacenamiento Flash de hoy en día tienen un controlador de memoria Flash integrado. Este chip especial
maneja la interfaz con el dispositivo host y maneja todas las lecturas y escrituras en los chips Flash del dispositivo de almacenamiento Flash. Si el controlador del host puede soportar velocidades más altas de transferencia de datos, el uso de controladores Flash
optimizados puede dar como resultado ahorros de tiempo importantes al leer o escribir datos en una memoria Flash. Por ejemplo, Kingston usa controladores Flash de alto desempeño en sus tarjetas Flash Elite Pro/Ultimate y en las unidades Flash USB de alta velocidad DataTravelers.
• El dispositivo host al que se conecta el dispositivo de almacenamiento Flash: Si el dispositivo host (computadora, cámara digital, teléfono celular, etc.) se limita a velocidades específicas de lectura y escritura el uso de dispositivos de almacenamiento Flash más
rápidos no proporcionará un desempeño más alto. Por ejemplo, el uso de una unidad Flash USB de alta velocidad en una computadora que soporta solamente las velocidades más bajas de USB no dará como resultado transferencias más rápidas. Además, es necesario configurar
las computadoras de manera adecuada para que admitan transferencias más rápidas en hardware y software. En el caso de una PC, la tarjeta del sistema necesitará conectores USB 2.0 de alta velocidad y el sistema operativo (por ejemplo, Windows) también necesitará
tener los controladores adecuados de USB 2.0 instalados para poder admitir transferencias USB de alta velocidad.

Existen distintos formatos para las memorias flash:
* CompactFlash (CF) I y II
* Memory Stick (MS)
* MicroSD
* MiniSD
* Multi Media Card (MMC)
* Secure Digital (SD)
* SmartMedia Card (SM/SMC)
* xD-Picture Card.





5. MEMORIAS ROM


5.1-ROM son las siglas de read-only memory, que significa "memoria de sólo lectura": una memoria de semiconductor destinada a ser leída y no destructible, es decir, que no se puede escribir sobre ella y que conserva intacta la información almacenada, incluso en el caso de que se interrumpa la corriente (memoria no volátil). La ROM suele almacenar la configuración del sistema o el programa de arranque de la computadora.
Las memorias de sólo lectura o ROM son utilizada como medio de almacenamiento de datos en las computadoras. Debido a que no se puede escribir fácilmente, su uso principal reside en la distribución de programas que están estrechamente ligados al soporte físico de la computadora, y que seguramente no necesitarán actualización. Por ejemplo, una tarjeta gráfica puede realizar algunas funciones básicas a través de los programas contenidos en la ROM.

Las computadoras domésticas a comienzos de los 80 venían con todo su sistema operativo en ROM. No había otra alternativa razonable ya que las unidades de disco eran generalmente opcionales. La actualización a una nueva versión significa usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. En el año 2000 los sistemas operativos en general ya no van en ROM. Todavía las computadoras pueden dejar algunos de sus programas en memoria ROM, pero incluso en este caso, es más frecuente que vaya en memoria flash. Los teléfonos móviles y los asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en memoria ROM (o por lo menos en memoria flash).

Algunas de las consolas de videojuegos que usan programas basados en la memoria ROM son la Super Nintendo, la Nintendo 64, la Mega Drive o la Game Boy. Estas memorias ROM, pegadas a cajas de plástico aptas para ser utilizadas e introducidas repetidas veces, son conocidas como cartuchos. Por extensión la palabra ROM puede referirse también a un archivo de datos que contenga una imagen del programa que se distribuye normalmente en memoria ROM, como una copia de un cartucho de videojuego.



Una razón de que todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad ya que los discos son más lentos. Aún más importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno de la computadora normalmente se encuentran en una memoria ROM.

La memoria RAM normalmente es más rápida para lectura que la mayoría de las memorias ROM, por lo tanto el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM cuando se utiliza.

5.2-Memorias ROM:son memorias en las que solo se pueden leer,pueden ser:

5.2.1-ROM programadas por mascara,cuya información se graba en fabrica y no se puede modificar.

5.2.2-PROM, o ROM programable una sola vez.

5.2.3-EPROM(erase PROM) o RPROM(programable ROM), cuyo contenido puede borrarse mediantes rayos ultravioletas para regrabarlas.

5.2.4-EAROM (electrically alterable ROM) o EEROM(electrically erasable ROM), que son memorias que está en la frontera entre las RAM y las ROM ya que su contenido puede regrabarse por medios eléctricos,están se diferencian de las RAM en que no son volátiles.En ocasiones a este tipo de memoria también se lo denomina NYRAM(no volátil RAM)

5.2.5-MEMORIA FLASH, denominada asi por la velocidad con la que se puede reprogramarse, utilizan tecnología de borrado eléctrico al igual que las EEPROM.Las memorias flash pueden borrarse enteras en unos cuantos segundos,mucho mas rápido que las EPROM.

Basicamente las memorias Rom se basan en una matriz de diodos cuya unión se puede destruir aplicando sobre ella una sobretensión(usualmente comprendida entre -1.25 y -40v).
De fabrica la memoria sale con 1´s en todas sus posiciones,para grabarla se rompen las uniones en que se quieran poner 0´s.Esta forma de realizar la grabación se denomina técnica de los fusibles.


6. ROM BIOS:





6.1-Empezando, Que es BIOS?

En informática o computación, el sistema básico de entrada/salida Basic Input-Output System (BIOS) es un código de interfaz que localiza y carga el sistema operativo en la RAM; es un software muy básico instalado en la placa basehardware del sistema que, como mínimo, maneja el teclado y proporciona salida básica (emitiendo pitidos normalizados por el altavoz del ordenador si se producen fallos) durante el arranque. El BIOS usualmente está escrito en lenguaje ensamblador.

6.2-Historia del BIOS

El primer término BIOS apareció en el sistema operativo CP/M, y describe la parte de CP/M que se ejecutaba durante el arranque y que iba unida directamente al hardware (las máquinas de CP/M usualmente tenían un simple cargador arrancable en la ROM, y nada más). La mayoría de las versiones de MS-DOS tienen un archivo llamado "IBMBIO.COM" o "IO.SYS" que es análogo al CP/M BIOS.

En los primeros sistemas operativos para PC (como el DOS), el BIOS todavía permanecía activo tras el arranque y funcionamiento del sistema operativo. El acceso a dispositivos como la disquetera y el disco duro se hacían a través del BIOS. Sin embargo, los sistemas operativos SO más modernos realizan estas tareas por sí mismos, sin necesidad de llamadas a las rutinas del BIOS.

6.3-Como Funciona el BIOS?

Al encender el ordenador, el BIOS se carga automáticamente en la memoria principal y se ejecuta desde ahí por el procesador (aunque en algunos casos el procesador ejecuta la BIOS leyéndola directamente desde la ROM que la contiene), cuando realiza una rutina de verificación e inicialización de los componentes presentes en la computadora, a través de un proceso denominado POST (Power On Self Test). Al finalizar esta fase busca el código de inicio del sistema operativo (bootstrap) en algunos de los dispositivos de memoria secundaria presentes, lo carga en memoria y transfiere el control de la computadora a éste.

7. MEMORIA CACHE o SRAM:


La memoria cache trabaja igual que la memoria virtual ,tenemos cache en el procesador ,en los discos, y en el mother y nos guarda direcciones de memoria.Si ejecutamos un programa en principio,los cerramos y luego los volvemos a ejecutar, la memoria cache nos guarda la ubicación (dirección ) en el disco,cuando lo ejecuté, y lo que hicimos con el programa .Es mucho mas rápida cuando ya usamos un programa

7.1-Existen 3 tipos de memoria caché:

• Cache L1: Esta dividido en dos bloques, uno contiene las instrucciones y otro los datos y cuando se habla de su capacidad de almacenamiento se dice que es de 2x16 kb
• Cache L2 interno externo: Las primeras memorias cache estaban ubicadas en el mother luego se construyeron en el procesador,pero no dentro del procesador por lo que es mas lento que el cache L1,mientras que el externo lo encontramos en el mother.
La computadora que tienen las tres tecnologías de caché van a ser mas rapidas.

• Cache L3: Algunos micro soportan un nivel de caché mas,el L3,que esta localizado en el mother;El AMD 6K soporta este caché.





8. MEMORIA VIRTUAL:

Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte del procesador.
Cuando se esta ejecutando un programa y especialmente si se tienen varias aplicaciones abiertas, el ordenador tiene que cargar en memoria RAM los valores e instrucciones de dichos programas .Pero ¿Qué ocurre cuando el programa o programas que se están ejecutando requieren mas memoria de la que tiene el equipo?
En este caso ,el procesador toma una parte del disco rigido y la convierte en memoria RAM.Es decir que se utiliza el disco duro para almacenar direcciones de memoria , y aunque el disco duro es mucho mas lento que la memoria RAM(10-15 milisegundos para un disco moderno frente a 70-10 nano segundos para memoria actual),es mucho mas rápido tomar datos en formato de memoria virtual desde el disco rigido que desde una pista y sectores donde se almacenan archivos de cada programa.

Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus políticas de solapamiento y por los métodos que emplean en la organización de la memoria.Los mas importantes son:

8.1-Memoria Paginada:Este método organiza el espacio virtual y el físico en bloques de tamaño fijo,llamados paginas.En un momento determinado la memoria principal contendrá algunos de los bloques lógicos.Como las distintas posiciones de un bloqueo lógico y uno físico están ordenadas de forma idéntica,simplemente hay que traducir el numero del bloque lógico al correspondiente de bloque físico.

8.2-Memoria Segmentada:Este método explota el concepto de modularidad de los programas construidos estructuralmente .Los modulos son conjuntos de informaciones que pueden tratarse independientemente y que se relacionan mediante llamadas interprocedimientos,constituyendo programas que se denominan segmentos.La segmentación es una técnica que organiza organiza el espacio virtual en bloque de tamaño variable , que reciben el nombre de segmentos y que se colocan en memoria mediante un algoritmo de localización de espacio libre.
8.3-Memoria de segmentos paginados: Esta memoria combina las ventajas de los dos modelos anteriores .Cada segmento se dividen en paginas , de forma que,para acceder a cualquier elemento de un segmento,el sistema acude a una tabla de paginas(TP) de dicho segmento.



9. QUANTUM RAM:



Según un artículo en NewScientistTech [inglés], científicos en Italia y Estados Unidos han diagramado un plan para construir la primera memoria RAM cuántica (quantum RAM).
Las computadoras cuánticas tienen la gran habilidad de realizar cálculos a velocidades inusitadas, pero una de las grandes trabas de dicho proceso son las actuales memorias RAM que se utilizan, las que mantienen las velocidades de la computación de nuestros días.


Un gran desafío consiste en conservar el estado de un qBit (representado por el spin de un electrón) a través del tiempo y en un dispositivo en el que se pueda leer y escribir en escalas masivas. A diferencia del Bit, que presenta estados de 1 y 0 a través de un elemento que mantiene una carga magnética o no, el qBit presenta 3 estados: 1, 0 y ambos a la vez; lo cual hace que los métodos para enviar y recibir esta información aumenten en complejidad, generando así interferencias fatales entre los qBits que forman la memoria.
El artículo explica en términos bastante áridos que una cierta dirección en memoria compuesta de qBits no se referiría a una posición específica sino a las combinaciones posibles en un número determinado de posiciones. Lo que convierte el proceso de recuperación de la información en un complicado algoritmo difícil de reproducir en circuitería.

Pero cambiando sutilmente la estructura de direccionamiento de memoria, estos científicos han logrado producir un modelo de asignación y lectura de qBits viable para su producción en escalas masivas, lo que significa que finalmente una procesador cuántico super-rápido podrá comunicarse con una memoria RAM cuántica que iguale su velocidad, llevando este límite cada vez mas cerca de la velocidad de la luz.





10- CONCLUSION:






Hemos hecho un recorrido por los diferentes tipos de memorias que existen,y como evoluciona con el correr de los años por la necesidad del hombre a seguir conociendo el proceso del pensamiento para implementarlo en aquellos artefactos que llamamos computadores.

El computador,hoy como herramienta , se esta convirtiendo dia a dia en un asistente para el desarrollo del aprendizaje y el conocimiento,la era de la inteligencia esta llegando y nuestros sustitutos tambien, la inteligencia artificial(I.A) avanza y se introduce en todos nuestros accesorios y electrodomesticos.Recordar , memorizar y pensar, no estara lejos de hacerlo un computador.




11. BIBLIOGRAFIA:

Material Bibliografico:
Enciclopedia Encarta2007.
El mundo de la computación.Editorial Oceano.España
Biblioteca Basica de Informatica. Editorial Ingelek.España
Apuntes de Arquitectura de computadores.Instituto Blaise Pascal
Armado de Pc .PC Users. Ed MP.
Personal Computer. Revista.
Busquedas Web:
Google
www.tupc@tecninfor.net
wikipedia
Herramientas de desarrollo:
Office XP
Office 2003
Corel Draw X3
Acrobat Reader 8
Microsoft Paint
Opera 9.1
4 cerebros




12.A. GLOSARIO:
Banco de memoria Una unidad lógica de memoria en una computadora, cuyo tamaño determina el CPU. Por ejemplo, un CPU a 32 bits requiere bancos de memoria que proporcionen 32 bits de memoria a la vez. Un banco puede consistir en uno o más módulos de memoria.

Binario Un sistema de numeración que utiliza combinaciones de 0 y 1 para representar datos.También se conoce como Base 2.

BIOS (Sistema básico de entrada/salida) Rutina de inicio que prepara la computadora para
la operación.

Bit La unidad más pequeña de información que procesa la computadora. Un bit es 1 ó 0.

Búfer Un área de espera para datos compartidos por los dispositivos que operan a distintas
velocidades o tienen distintas prioridades. Un búfer permite que un dispositivo opere sin retrasos que impongan otros dispositivos.

Bus Una ruta de datos en la computadora, la cual consiste de diversos cables en paralelo
a los que están conectados el CPU, la memoria y todos los dispositivos de
entrada/salida.

Bus de memoria El bus que va del CPU a las ranuras de expansión de memoria. Bus frontal (FSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria principal (RAM).

Bus frontal (FSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria principal (RAM).

Byte Ocho bits de información. El byte es la unidad fundamental del procesamiento de la
computadora; casi todas las especificaciones y medidas del desempeño de la
computadora se dan en bytes o múltiplos. Véase kilobytes y megabytes.

Caché de expulsión Memoria caché que reduce en estados en espera y acelera el acceso a laentubado memoria utilizando funciones de tubería y explosión.

Caché de nivel I (L1) También conocido como caché primario, Caché L1 es una pequeña cantidad de memoria de alta velocidad que reside sobre o muy cerca del procesador. Caché L1
suministra al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia.

Caché de nivel 2 (L2) También conocida como caché secundaria, Caché L2 es una pequeña cantidad de memoria de alta velocidad que se encuentra cerca del CPU y generalmente en la tarjeta madre. La Caché L2 suministra al procesador los datos e instrucciones
solicitados con más frecuencia. Dependiendo de la tarjeta madre, la caché de Nivel 2
se puede actualizar.

CAS (Estroboscopio de dirección de columnas) Una señal de chips de memoria que
asegura la dirección de la columna a una ubicación en particular en la matriz fila –
columna.Ciclo de bus Una transacción sencilla entre la memoria principal y el CPU.

CompactFlash Un factor de forma pequeño y ligero para tarjetas de almacenamiento desmontables.Las tarjetas CompactFlash son durables, operan a bajos voltajes y retienen datos cuando está apagada la energía. Sus usos incluyen cámaras digitales, teléfonos
celulares, impresoras, computadoras portátiles, localizadores y grabadoras de audio.
Compuesto o Un término de Apple Computer, Inc. para el módulo de memoria que
entubado utilizaban en la tecnología anterior y que contenía más chips, pero que eran de
baja densidad.

CPU (Unidad de procesamiento central) El chip de computadora que tiene la
responsabilidad primaria de interpretar comandos y ejecutar programas. El CPU
también se conoce como el procesador o microprocesador.

ECC (Código de corrección de errores) Un método para verificar la integridad de los datos
en DRAM. ECC proporciona una detección de errores más elaborada que la paridad;
ECC puede detectar errores de bits múltiples y puede localizar y corregir errores de
bits sencillos.
12B. GLOSARIO:
EPROM (Memoria de sólo lectura programable y borrable) Un chip programable y que se
puede volver a usar que detiene su contenido hasta que se borra bajo luz ultravioleta.
Un equipo especial borra y reprograma los EPROM.

Ferrita: Oxido de hierro natural hidratado, de color rojo pardo.

Gigabyte Aproximadamente 1,000 millones de bytes o exactamente 1byte x 1,0243 (1,073,
741, 824) bytes.

Kilo byte Aproximadamente mil bytes o exactamente 1 byte x 210 (1,024) bytes.

Latencia CAS La proporción entre el tiempo de acceso de las columnas y el tiempo de ciclo de reloj. La Latencia 2 (CL2) ofrece un ligero aumento de rendimiento sobre la Latencia
CAS (CL3).

Medio byte La mitad de un byte de 8bits, ó 4bits

Megabit Aproximadamente un millón de bits o exactamente 1bit x 1,0242 (1,048,576) bits.

Nano segundo (ns) Una mil millonésima parte de un segundo (1/1,000,000,000). Los tiempos de acceso de los datos de memoria se encuentra en nona segundos. Por ejemplo, los tiempos de acceso de memoria para los módulos SIMM típicos de 32 y 72 pines
varían de 60 a 100 nano segundos.

Paridad Verificación de integridad de datos que agrega un bit sencillo en cada byte de datos.El bit de paridad se utiliza para detectar errores en los datos de 8bits.

Paridad impar Verificación de integridad de datos en la que el bit de paridad verifica un número impar de 1s.

Paridad par Un tipo de verificación de integridad de datos mediante la cual el bit de paridad verifica que haya un número par de 1.

PCB (Conjunto de tarjetas de circuitos impresos) Tarjetas generalmente planas y de capas
múltiples hechas de fibra de vidrio con rastros eléctricos. La superficie y las subcapas
utilizan rastros de cobre para proporcionar conexiones eléctricas para chip y otros
componentes. Los ejemplos de PCB incluyen: tarjetas madre, SIMM y memorias para
tarjetas de crédito.

Rambus (1) Rambus, Inc. desarrolla y da licencias de tecnología de diseño de circuitos y lógica de memoria y alto desempeño y proporciona diseño de productos, disposición e
información de prueba a los dueños de licencias. (2) Direct Rambus es una terminología
de memoria de alta velocidad que utiliza un bus estrecho a 16bits (canal de Rambus)
para transmitir datos a velocidades de hasta 800MHz. Véase Canal Rambus.

RIMM de continuidad (C-RIMM) Un módulo de memoria Rambus directo (Direct Rambus) que no contiene chips de memoria. C-RIMM proporciona un canal continuo para la señal. En un sistema Direct Rambus, los conectores externos se deben llenar con C-RIMMs.

SDRAM (DRAM sincrónica) Una tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar la
entrada y la salida de señal en un chip de memoria. El reloj se coordina con el reloj
del CPU para que la temporización de los chips de memoria la temporización del
CPU estén en sincronía. La DRAM sincrónica ahorra tiempo al ejecutar comandos y
transmitir datos, incrementando así el desempeño general de la computadora.

SDRAM permite que el CPU tenga acceso a la memoria aproximadamente un 25%
más rápido que la memoria EDO.

Spin:momento cinetico del electron o de cualquier otra particular,debido a la rotación de la particula sobre si misma.




14 INDICE:

TRABAJO PRACTICO: MEMORIAS RAM


PAG: 1- CARATULA

PAG: 2- OBJETIVOS

PAG: 3,4,5,6. 1.HISTORIA

PAG: 7. 2.CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES DE LAS MEMORIAS
2.1-MEMORIAS.CLASIFICACION GENERAL.

PAG: 8 3.LA MEMORIA RAM
3.1-CONCEPTO

PAG:9 3.2-TIPOS DE RAM
3.2.1-VRAM
3.2.2-SIMM
3.2.3-DIMM
3.2.4-DIP
3.2.5-RAM DISK

PAG:10 3.2.6-MEMORIA CACHÉ O RAM CACHÉ

PAG:11 3.2.7-SRAM
3.2.8-DRAM
3.2.9-SDRAM

PAG:12 3.2.10-FPM
3.2.11-EDO
3.2.12-BEDO
3.2.13-PB SRAM

PAG:13 3.3-ALGUNOS PARAMETROS A TENER EN CUENTA
3.3.1-TAÑAÑO
3.3.2-FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO
3.3.3-MEMORIA ECC-NO EEC
3.3.4.-MEMORIA DOBLE CANAL
3.3.5-TASA DE TRANSFERENCIA

PAG:14 3.3.6-LACTENCIA CAS
3.3.7-SDRAM
3.3.8-DDR
3.3.9-DDR2
3.3.10-DDR3
3.3.11-GDDR


PAG:15. 4-MEMORIA FLASH
4.1-INTRODUCCION
4.2-DESCRIPCION
4.3-VELOCIDAD DE TRANSFERENCIA
PAG: 16 4.4.1 MEMORIA FLASH NOR
4.4.2 MEMORIA FLASH NAND

PAG:17 4.5 DESEMPEÑO DE DISPOSITIVOS DE
ALMACEMNAMIENTO FLASH
PAG:18,19. 5.MEMORIA ROM
5.1-INTRODUCCION
5.2-MEMORIA ROM
5.2.1-ROM
5.2.2-PROM
5.2.3EPROM
5.2.4-EAROM
5.2.5-FLASH
PAG:20. 6.ROM BIOS
6.1-QUE ES LA BIOS?
6.2-HISTORIA DEL BIOS
6.3-COMO FUNCIONA EL BIOS?
PAG:21. 7.MEMORIA CACHE O SRAM
7.1-TIPOS DE MEMORIA CACHÉ
PAG:22. 8.MEMORIA VIRTUAL
8.1-MEMORIA PAGINADA
8.2-MEMORIA SEGMENTADA
8.3-MEMORIA DE SEGMENTOS PAGINADOS
PAG: 23. 9.QUANTUM RAM
PAG: 24. 10.CONCLUSION
PAG: 25. 11.BIBLIOGRAFIA
PAG: 26. 12 A.GLOSARIO
PAG: 27. 12 B.GLOSARIO
PAG: 28. 13 INDICE